Samsung’un Dev Adımı : S-RAM

29 Kasım 2015, 13:00 287 Görüntüleme

Güney Kore’nin ve dünyanın en önemli teknoloji şirketlerinden biri olan Samsung 10 nm yolunda hatırı sayılır bir adım atarak rakipleriyle olan rekabeti iyice kızıştırdı.

TMSC’den gelen son atılımlar ve ardından Intel’den gelen yeni planlar derken, Samsung bir süredir sessiz kalmıştır. ETNews tarafından son açıklanan rapora göre Samsung sessizliğini bozdu ve dünyanın ilk 10 nm FinFet süreciyle geliştirilmiş S-RAM’ini üretmeyi başardı. Şöyle ki, TSMC dahi 14 ve 16 nm sürecini kullanıyor. Samsung’un yaptığı bu son atılım sayesinde akıllı telefonlarda “Giga” olarak adlandırılan yeni bir nesil doğabilir.

D-RAM’e göre daga hızlı olacak olan S-RAM teknolojisiyle ilgili henüz bir seri üretim çalışması başlamamasına rağmen, konuşulanlar bu sürecin 2017 yılında mobil uygulamaya geçeceği ve seri üretileceği şeklinde.

Samsung’un Dev Adımı : S-RAM (Örnek Resim)

Samsung’un Dev Adımı : S-RAM (Örnek Resim)

Peki tam olarak nedir bu S-RAM’in özellikleri?

10 nm FinFET sonucu ortaya çıkan S-RAM  128 MB kapasiteye ve 0.040 µm2 hücre alanına sahip. 14 nm’lik S-RAM’e göre daha küçük olması ise en büyük avantajı. Bu küçüklük sayesinde küçülecek olan yongasetiyle birlikte telefonların performansları daha yukarı çekilecek.

Üstelik Samsung  10 nm’lik S-RAM atılımıyla kalmadı, bunun dışında bir de 14 nm’lik NAND flaş da geliştirdi. Yine Toshiba ve Micron’un 15-16 nm üzerine çalıştığı düşünülünce Samsung bu konuda da rakiplerine fark atmış görünüyor.  Elbette bu depolama biriminin akıllı telefonlar üzerinde uygulanmasıyla birlikte teknoloji daha da hızlı ilerleyecek. Şimdilik uygulamanın ne zaman yapılacağı ise bir muamma. Ne olursa olsun Samsung yoluna dur durak demeden devam ediyor.

 

BENZER YAZILAR

YORUMLAR

Henüz hiç yorum yapılmamış.

www.buguzelsozler.net
Protected by Copyscape